碳化硅陶瓷基板（SiC）對新能源汽車能帶來哪些有利影響

        在近兩年技術產品發布上，“SiC（碳化硅陶瓷基板）”成為了所有零部件供應商和主機廠經常提起的明星產品。

汽車動力系統在發生三大變化，動力來源從內燃機演變為電動機，功率半導體材料從硅轉向碳化硅，電壓平臺從400V升級到800V。

相比硅基IGBT，SiC器件體積更小、功率密度高、耐壓強，應用在800V平臺中能夠產生更高的系統優勢，可以達到充電快和續航里程遠的綜合效益。

在碳化硅陶瓷基板（SiC）方面，第一個吃螃蟹的人是特斯拉。

2018年，Model 3 為第一款采用全 SiC 功率模塊電機控制器的純電動汽車，開創碳化硅陶瓷基板應用的先河。基于 IGBT 的諸多優勢，在 Model 3 問世之前，市面上的新能源車均采用 IGBT 方案。

而 Model 3 利用 SiC 模塊替換 IGBT 模塊，這一里程碑式的創新大大加速了 SiC 等寬禁帶半導體在汽車領域的推廣與應用。

在相同功率等級下，SiC模塊的封裝尺寸明顯小于硅模塊，并且開關損耗降低了75%。換算下來，采用SiC模塊替代硅基IGBT模塊，系統效率可以提高5%左右。

碳化硅模塊的內置芯片就是碳化硅陶瓷覆銅板，不僅能起到很好的支撐作用，與此同時，碳化硅陶瓷覆銅板主要的核心優勢是耐高溫、耐高壓、耐磨損、低損耗、高頻率工作。因此用于高散熱、高導熱、大電流、大電壓、需要高頻率運作的產品非常合適適合汽車電力控制系統器件產品。更多碳化硅陶瓷基板相關可以咨詢金瑞欣特種電路。